identificatie van bijzonderheden zoals detectie van beveiligingsdiodes en shuntweerstanden
bipolaire transistors: meting stroomversterking en stroomverlies, detectie van silicium of germanium
meting drempelspanning voor verrijkingsmode-MOSFETs
meting geleidingsspanning van diodes, leds en basis-emmiter juncties van transistors
automatisch en handmatig uitschakelen
Specificaties
Basis productinformatie
Primaire kleuren:
Zwart
Extra kleuren:
Blauw
Diepte van het product:
20 mm
Hoogte van het product:
70 mm
Breedte van het product:
103 cm
Gewicht Product:
98 g
Technische gegevens
Maximale piekteststroom in s/c:
5.5 mA
Maximale piektestspanning over o/s:
5.1 V
Diode specificaties:
Teststroom:5,0 mA Spanningsnauwkeurigheid:-2% -20 mV tot +2% +20 mV Vf voor LED-identificatie:1,50 V - 4,00 V Kortsluitingsdrempel:10 Ohm
SCR/triac-specificaties:
Poortteststroom:4,5 mA Belastingsteststroom:5,0 mA
Specificaties transistor:
Versterkingsbereik (Hfe):4 - 65000 Versterkingsnauwkeurigheid:± 3 % ± 5 Hfe Vceo-testspanning:2.0 V - 3.0 V Vbe-nauwkeurigheid:-2 % - 20 mV tot +2 % + 20 mV VBE voor Darlington (gerangeerd):0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V) Basis-emitter shuntdrempel:50 kOhm - 70 kOhm BJT collector-teststroom:2.45 mA - 2.55 mA BJT aanvaardbare lekkage:0.7 mA MOSFET: Poortdrempelbereik:0.1 V - 5.0 V Drempelnauwkeurigheid:-2% -20 mV tot +2% +20 mV Drain-teststroom:2.45 mA - 2.55 mA Poortweerstand:8 kOhm Depletie-drain-teststroom:4.5 mA JFET drain-bron teststroom:0.5 mA - 5.5 mA